爐內積極性對硅碳棒的干擾：           （1）干熱氣的的影響：硅碳棒能在氣溫（1600℃）、干熱的氣影響期選擇，熱敏電阻極慢延長。純氧（O2）與SiC在氣溫時造成表現，繪制二腐蝕物硅（SiO2）。考慮到硅碳棒外表面進行了兩層SiO2防護膜，故此硅碳棒包括極強的抗腐蝕物性。      （2）水水汽的影響力：水水汽（H2O）在1100℃時與SiC引發很強烈化學工業癥狀，導出Si、SiO2和C。硅碳棒漆層顯現內裂，功率電阻漲幅速率沒多久。      （3）氦氣（N2）的不起作用：當硅碳棒的表面溫可達1400℃時，N2就與SiC發生不起作用，自動生成氮化硅，使硅碳棒的電容值差異性增長額。      （4）氡氣（H2）的不良影響：在1250℃時，H2與SiC發生發生反應，轉為二氧化氮（CH4）,損壞SiC變燙體。     （5）氫氧化鈉（NH3）的印象：NH3在低溫時可吸附成成N2和H2。故用高溫應管控在1250℃接下來。      （6）二硫化硫（SO2）的危害：SO2在1300℃與SiC影響，故動用溫度應掌握在1300℃下類。      （7）余氯（Cl2）的影晌：Cl2在600℃時就可能與SiC時有發生現象，在1200℃時，Cl2會把硅碳棒分解的。4、 SiC與稀鹽酸（HCL）、鹽酸（H2SO4）在高溫天氣時不會會發生生物學發應。濃磷酸（H3PO4）在250℃時與SiC會會發生發應，出現二被陽極氧化碳（O2）、甲烷氣體（CH4）、二被陽極氧化碳（CO2）和二被陽極氧化硅（SiO2）。濃氯化銨（HNO3）與鹽酸（HF）的混后物在常溫下能溶解完SiC。